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產(chǎn)品展示/ Product display

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MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀

ITC57300 MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀是美國ITC公司設(shè)計生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備,采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構(gòu),可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數(shù)的測試要求,且具有波形實時顯示分析功能,是目前完備可靠的動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備。

  • 產(chǎn)品型號:ITC57300
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-12-02
  • 訪  問  量:2280
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詳細(xì)介紹
品牌其他品牌價格區(qū)間面議
應(yīng)用領(lǐng)域能源,電子,交通,汽車,電氣

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MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀


主要測試能力

1.測試電壓:1200 VDC 200(短路電流可達1000A)

2.定時測量:為1 ns

3.漏電流限制監(jiān)視器

4.MOSFET開關(guān)時間測試, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 

5.MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時間測試,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps

6.Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us

7.MOSFET柵電荷Qg測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 

8.IGBT感性開關(guān)時間測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH

9.IGBT短路耐量測試,Max ISC=1000A


測試標(biāo)準(zhǔn)

MIL-STD-750 Series


MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀選項

1.額外的電源供應(yīng)器

2.額外的測試頭

3.大包裝適配器


測試儀測試頭

1.ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472開關(guān)時間

2.ITC57220 - TRR /電源,MOSFET和二極管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473

3.ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471

4.ITC57240 - 電感式開關(guān)時間為IGBT,MIL-STD 750方法3477

5.ITC57250 - (ISC)短路耐受時間,MIL-STD-750方法3479


ITC57210 開關(guān)時間測試頭

此測試頭以美軍標(biāo) MIL-STD-750, Method 3472,驗證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關(guān)時間。所測量的參數(shù)包括 :Time Delay On[td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)


ITC57230 柵電荷測試頭

ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3471進行考驗。 先給MOSFET管的柵極加電壓,在柵極打開時,把一個恒電流,高阻抗的負(fù)載接到MOSFTE管的漏極。當(dāng)漏極電流攀爬到用戶設(shè)定的數(shù)值時,被測器件的柵電荷可通過向漏極導(dǎo)通可編程恒流源放(或P溝道器件,向源極導(dǎo)通)。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計算出電荷量。


ITC57250 短路耐量測試頭

ITC57250以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3479的定義,實行短路耐抗時間測試。在某些電路,如馬達驅(qū)動電路,半導(dǎo)體器件須有能力抗衡并頂住短時間的短路狀況。此測試就是用于驗證器件在短路情況下所能承受的耐抗時間。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動脈寬。


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